文献类型：期刊文章

作　　者：曾绍海[1] 林宏[1] 陈张发[1] 李铭[1]

ZENG Shaohai;LIN Hong;CHEN Zhangfa;LI Ming(Shanghai IC R ＆ D Center,Shanghai 201210,China)

机构地区：[1]上海集成电路研发中心有限公司,上海201210

出　　处：《复旦学报（自然科学版）》

年　　份：2018

卷　　号：57

期　　号：4

起止页码：504-508

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2017、BIOSISPREVIEWS、CAS、CSCD、CSCD2017_2018、JST、MR、RCCSE、RSC、ZGKJHX、ZMATH、ZR、核心刊

摘　　要：本文研究了电镀铜过程中添加剂对55nm技术代双大马士革结构的影响,为集成电路制造生产线提供有力的数据支持.在12英寸电镀设备上,对不同添加剂配比所电镀的铜膜,分别进行了光片上的基本工艺性能、图形片上的填充性能、55nm技术代的铜互连工艺上的电学性能和可靠性的验证评估.通过对各种性能指标的考核,提出了针对该电镀液及添加剂的改进方案并优化电镀工艺菜单.最终确立其适用于芯片铜互连电镀工艺的工程应用窗口,使该产品满足集成电路制造生产线的要求.

关 键 词：电镀液 添加剂 双大马士革  55nm技术代  铜互连

分 类 号：TN305.96]