文献类型：期刊文章

作　　者：刘国友[1] 窦泽春[1] 罗海辉[1] 覃荣震[1] 黄建伟[1]

LIU Guoyou;DOU Zechun;LUO Haihui;QIN Rongzhen;HUANG Jianwei(State Key Laboratory of Advanced Power Semiconductor Devices（Zhuzhou CRRC Times Electric Co.,Ltd）,Zhuzhou 412001,Hunan Province,China)

机构地区：[1]新型功率半导体器件国家重点实验室(株洲中车时代电气股份有限公司)

出　　处：《中国电机工程学报》

年　　份：2018

卷　　号：38

期　　号：16

起止页码：4855-4862

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2017、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2017_2018、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：该文基于柔性直流输电对大容量压接型绝缘栅双极晶体管（insulated gate bipolar transistor,IGBT）的应用需求,首创大尺寸方形陶瓷压接外壳、21×21mm2大尺寸高性能IGBT及其配套快速恢复二极管（fast recovery diode,FRD）芯片、独特结构的压接子单元,大幅度降低了芯片损耗、提高了单芯片电流容量;解决压接封装中的压力均衡、芯片均流等关键技术难题,成功研制高功率密度3600A/4500V压接型IGBT,具有导通损耗低、开关能力强、双面散热、失效短路的优点,功率容量与功率密度提高到一个新的水平,满足柔性直流输电应用需求。

关 键 词：高功率密度 压接型  绝缘栅双极晶体管 快速恢复二极管  

分 类 号：TM23[材料类]