文献类型：期刊文章

作　　者：朱振[1] 肖成峰[1] 夏伟[1,2] 张新[1] 苏建[1] 李沛旭[1] 徐现刚[1,3]

Zhu Zhen;Xiao Chengfeng;Xia Wei;Zhang Xin;Su Jian;Li Peixu;Xu Xiangang(3 Shandong Huaguang Optoelectronics Co.,Ltd.,Jinan,Shandong 250100,China;Shcool of Physics and Technology,University of Jinan,Jinan,Shandong 250100,China;State Key Laboratory of Crystal Materials,Shandong University,Jinan,Shandong 250100,China)

机构地区：[1]山东华光光电子股份有限公司,山东济南250100 [2]济南大学物理科学与技术学院,山东济南250100 [3]山东大学晶体材料国家重点实验室,山东济南250100

出　　处：《激光与光电子学进展》

基　　金：国家重点研发计划(2017YFB0404901;2016YFB0401802)

年　　份：2018

卷　　号：55

期　　号：8

起止页码：338-342

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CSCD、CSCD2017_2018、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：设计并制备了一款短波长红光640nm的大功率半导体激光器。利用金属有机化学气相沉积技术生长了AlGaInP材料的激光器外延层,其中,限制层使用低折射率的AlInP材料,有源区使用张应变的GaInP/AlGaInP量子阱。外延层有源区的光致发光谱出现两个分裂的发光峰,位于627nm及616nm处,分别对应于电子到轻空穴及重空穴的跃迁。对芯片窗口区域进行选择性Zn扩散,量子阱原子发生混杂,波长蓝移了43nm。不带非吸收窗口的器件在1.9A发生腔面灾变性光学损伤(COD),功率为1.4 W。而带窗口结构的器件没有产生COD,功率输出受限于热饱和,最大功率为2.3 W。室温连续电流测试,1A下波长为639nm,1.5A下波长为640nm。器件水平发散角为6°,垂直发散角为41°。

关 键 词：激光器 二极管激光器 640nm  窗口结构  热饱和  张应变  

分 类 号：TN248.4]