文献类型：期刊文章

作　　者：许迪迪[1,2] 张小玲[1] 齐浩淳[3] 谢雪松[1]

XU Di-di;ZHANG Xiao-ling;QI Hao-chun;XIE Xue-song(Beijjing University of Technology Department of Informaticsy,Beijing 100124,China)

机构地区：[1]北京工业大学信息学部,北京100124 [2]华峰测控技术(天津)有限责任公司,天津300450 [3]中国人民解放军68129部队,甘肃兰州730060

出　　处：《电力电子技术》

年　　份：2018

卷　　号：52

期　　号：8

起止页码：70-72

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2017_2018、IC、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的热不稳定现象,限制了MOSFET的安全工作区。为得到符合实际的安全工作区,建立了一种分析模型,综合考虑了电流温度系数、热阻等因素,分析解释热不稳定产生条件,通过与实验数据的对比,证明了模型的正确性,得到了更符合实际的安全工作区。

关 键 词：金属氧化物半导体场效应晶体管 热不稳定  安全工作区

分 类 号：TN32]