文献类型：期刊文章

作　　者：朱艺锋[1] 郑景乐[1] 田野[1]

ZHU Yi-feng, ZHENG Jing-le, TIAN Ye(Henan Polytechnic University, Jiaozuo 454000, China)

机构地区：[1]河南理工大学,电气工程与自动化学院,自动化系,河南焦作454000

出　　处：《电力电子技术》

基　　金：国家自然科学基金(U1504518); 河南省教育厅科技研究重点项目(14A470005)

年　　份：2018

卷　　号：52

期　　号：7

起止页码：82-84

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD_E2017_2018、IC、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：针对大功率变流器中绝缘栅双极型晶体管(IGBT)开关特性中由杂散电感引起的关断电压尖峰问题,首先利用Simplorer软件对应用中的IGBT模块进行建模,搭建单桥臂仿真电路,通过对比在不同杂散电感下IGBT开通关断瞬时的电压与电流波形,对这一问题进行分析与研究,然后提出一种直流侧与电容组两端布局的优化方法,降低了线路杂散电感的总量,使IGBT关断特性中的电压尖峰得到了有效抑制,同时缩短了IGBT的开关时间。最后通过一套功率为1.3 MVA的三相两电平逆变器进行实验,实验与仿真结果的对比证明了该优化方法的有效性。

关 键 词：绝缘栅双极型晶体管 杂散电感 开关特性

分 类 号：TN32]