文献类型：期刊文章

作　　者：陈万高[1] 李亚盟[1] 焦照勇[1]

CHEN Wan-Gao;LI Ya-Meng;JIAO Zhao-Yong(Engineering Laboratory for Optoelectronic Technology and Advanced Manufacturing of Henan Province,College of Physics and Materials Science,Henan Normal University,Xinxiang 453007,China)

机构地区：[1]河南师范大学物理与材料科学学院光电子技术及先进制造河南省工程实验室,新乡453007

出　　处：《原子与分子物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(11347004);河南省教育厅自然科学研究计划项目(18A140004)

年　　份：2018

卷　　号：35

期　　号：3

起止页码：477-484

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、JST、RSC、核心刊

摘　　要：采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算,对Nb掺杂CrSi_2的晶格结构、弹性性质,电子结构和光学性质进行了系统的研究.研究结果表明:随着Nb掺杂浓度增加,弹性常数、体变模量、剪切模量、杨氏模量均减小,而且能带间隙也逐渐减小,表现为p型掺杂特点.基于电子结构计算结果以及已知的实验结果,讨论了Nb掺杂CrSi_2后对其复介电函数、折射率、消光系数、反射率和吸收谱等光学性质的影响.

关 键 词：Nb掺杂CrSi2  第一性原理计算 弹性性质  光学性质

分 类 号：O472]