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期刊文章详细信息

退火对ZrO2介质MIM电容器性能的影响    

  

文献类型:期刊文章

作  者:张秋香[1]

机构地区:[1]上海建桥学院机电学院电子工程系

出  处:《上海建桥学院学报》

年  份:2018

期  号:2

起止页码:17-19

语  种:中文

收录情况:内刊

摘  要:文章对10nm和20nm两种厚度的ZrO2介质金属-绝缘体-金属(MIM)电容器在退火条件为420℃下(在N2/H2气氛中退火5min)前后的性能作了对比研究。结果表明,退火后电容密度增加,对于10nm和20nm两种厚度的电容器,电容密度分别增加了33%和31%,同时漏电流密度降低近一个数量级,这是因为退火能消除介质层中的氧缺陷和其他杂质,而使漏电流减小。

关 键 词:ZRO2薄膜 MIM电容  退火实验  

分 类 号:TB383[材料类]

参考文献:

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同被引文献:

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