期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]上海建桥学院机电学院电子工程系
年 份:2018
期 号:2
起止页码:17-19
语 种:中文
收录情况:内刊
摘 要:文章对10nm和20nm两种厚度的ZrO2介质金属-绝缘体-金属(MIM)电容器在退火条件为420℃下(在N2/H2气氛中退火5min)前后的性能作了对比研究。结果表明,退火后电容密度增加,对于10nm和20nm两种厚度的电容器,电容密度分别增加了33%和31%,同时漏电流密度降低近一个数量级,这是因为退火能消除介质层中的氧缺陷和其他杂质,而使漏电流减小。
关 键 词:ZRO2薄膜 MIM电容 退火实验
分 类 号:TB383[材料类]
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