文献类型：期刊文章

作　　者：马江将[1,2] 李克训[1,2] 周必成[1,2] 谷建宇[1,2] 贾琨[1,2]

MA Jiangjiang;LI Kexun;ZHOU Bicheng;GU Jianyu;JIA Kun(No.33 Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation,Shanxi,Taiyuan 030032,China;Shanxi Key Laboratory of Electromagnetic Protection Material and Technology,Shanxi,Taiyuan 030032,China)

机构地区：[1]中国电子科技集团第三十三研究所,山西太原030032 [2]电磁防护材料及技术山西省重点实验室,山西太原030032

出　　处：《计算物理》

基　　金：四川省军用技术再研发项目(zyf-2017-70);山西省青年科技研究基金(2015021083)资助

年　　份：2018

卷　　号：35

期　　号：4

起止页码：475-480

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CSCD、CSCD2017_2018、EI、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用AIREBO势函数,对含有多种空位缺陷的单层石墨烯进行分子动力学拉伸模拟,计算不同空位缺陷的位置和排布结构对单层石墨烯应力-应变的影响.结果表明：石墨烯拉伸过程中空位缺陷对其力学性能影响较大.石墨烯内缺陷位置、缺陷排布对拉伸过程中发生的撕裂现象有不同程度的影响.对比分析发现,远离石墨烯边界的空位缺陷对其力学稳定性影响较大.通过控制石墨烯中缺陷的位置,可实现对其力学性能的调控.

关 键 词：石墨烯 缺陷位置 分子动力学 应力应变

分 类 号：TG115.5]