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期刊文章详细信息

基于GAGG:Ce晶体耦合SiPM的位置灵敏探测器的设计与评估  ( EI收录)  

Design and Evaluation of Position Sensitive Detector Based on GAGG:Ce Crystal Coupled with SiPM

  

文献类型:期刊文章

作  者:刘毅[1,2,3] 帅磊[2,3] 张济鹏[2,3] 梁秀佐[2,3] 葛良全[1] 王英杰[2,3] 章志明[2,3]

LIU Yi;SHUAI Lei;ZHANG Jipeng;LIANG Xiuzuo;GE Liangquan;WANG Yingjie;ZHANG Zhiming(College of Applied Nuclear Technology and Automation Engineering Chengdu University of Technology,Chengdu 610059,China;School of Nuclear Science and Technology University of Chinese Academy of Sciences,Beijing 100049,China;Beijing Engineering Research Center of Radiographic Techniques and Equipment Institute of High Energy Physics,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100049,China)

机构地区:[1]成都理工大学核技术与自动化工程学院,四川成都610059 [2]中国科学院大学核科学与技术学院,北京100049 [3]中国科学院高能物理研究所北京市射线成像技术与装备工程技术研究中心,北京100049

出  处:《原子能科学技术》

基  金:中科院科研装备研制项目资助(29201707)

年  份:2018

卷  号:52

期  号:8

起止页码:1487-1491

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2017、CAS、CSCD、CSCD2017_2018、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:为满足当前γ相机对高分辨率、低成本、小型化探测器的需求,提出了采用硅光电倍增管(SiPM)耦合GAGG:Ce晶体阵列的方式代替传统的位置灵敏型光电倍增管(PSPMT)耦合晶体阵列的方式以构成新型γ相机探测器,并设计了均匀电荷分配电路(SCDC)和阻抗电桥电路作为探测器的读出电路,同时设计了前沿定时电路作为数据采集触发电路。实验结果表明:当温度为25℃、探测器供电电压为28.5V时,该探测器在511keV射线的激发下,散点图的峰谷比高达3.84,对511keV和662keV射线的平均能量分辨率分别为10.63%和9.71%,具有较好的分辨性能。

关 键 词:GAGG:Ce  SIPM 能量分辨率 探测器 Γ相机

分 类 号:TL821]

参考文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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