文献类型：期刊文章

作　　者：陈帅[1] 赵志平[1] 张飞[1] 黄建国[1] 赵文忠[1]

CHEN Shuai;ZHAO Zhiping;ZHANG Fei;HUANG Jianguo;ZHAO Wenzhong(The 20th Research institute of CETC, Xi＇an 710071, China)

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第二十研究所,陕西西安710071

出　　处：《电子工艺技术》

年　　份：2018

卷　　号：39

期　　号：3

起止页码：157-159

语　　种：中文

收录情况：普通刊

摘　　要：利用共晶炉,采用Au80Sn20共晶焊片对GaAs微波芯片与MoCu载体进行了共晶焊接。利用推拉力测试仪、X射线衍射仪对焊接样品的焊接强度和孔洞率进行了测试。采用正交试验法分析了焊料尺寸、焊接压力及温度曲线等工艺参数对共晶焊接的影响。研究发现:各因素影响主次顺序为焊接压力、焊接曲线、焊片大小;当焊料尺寸为70%,焊接压力为0.001N/mm2,选用优化的温度曲线时,共晶焊接效果最优,孔洞率小于1%,剪切强度大于50N,满足GJB548B的要求。

关 键 词：微波芯片  Au80Sn20焊片  共晶焊接  

分 类 号：TN45]