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期刊文章详细信息

窄线宽1064 nm分布布拉格反射半导体激光器  ( EI收录)  

Narrow Linewidth 1064 nm Distributed Bragg Reflector Semiconductor Laser

  

文献类型:期刊文章

作  者:贾宝山[1,2] 王皓[1] 李爱民[1] 王梦鹤[1] 都继瑶[1] 李辉[1] 李再金[1,3] 薄报学[1] 曲轶[1,3]

Jia Baoshan;Wang Hao;Li Aimin;Wang Menghe;Du Jiyao;Li Hui;Li Zaijin;Bo Baoxue;Qu Yi(National Key Laboratory on High Power Semiconductor Lasers, Changchun University of Science and Technology, Changchun, Jilin 130022, China;~ School of Physics and Electronic Engineering, Hainan Normal University, Haikou , Hainan 571158, Chin;Quality Control and Evaluation Center, Changchun University of Science and Technology , Changchun, Jilin 130022, China)

机构地区:[1]长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,吉林长春130022 [2]长春理工大学质量监控与评估中心,吉林长春130022 [3]海南师范大学物理与电子工程学院,海南海口571158

出  处:《中国激光》

基  金:国家自然科学基金联合基金(U1330136);2015年吉林省择优资助博士后科研项目

年  份:2018

卷  号:45

期  号:5

起止页码:35-39

语  种:中文

收录情况:AJ、BDHX、BDHX2017、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2017_2018、EI、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:1064nm分布布拉格反射(DBR)半导体激光器具有窄线宽、输出稳定的特性,在自由空间激光通信用种子光源等方面具有广阔的应用前景。设计了一种单模、窄线宽的1064nm DBR半导体激光器,利用金属有机化合物气相沉积技术生长出InGaAs应变量子阱半导体激光器材料,并制备出腔长为1200μm的脊型波导1064nm DBR半导体激光器。当注入电流为70mA时,室温下该激光器的连续输出功率可达到7mW,3dB光谱线宽为0.12nm。

关 键 词:激光器 1064nm半导体激光器  分布布拉格反射激光器  单模激光器 脊型波导 窄线宽

分 类 号:TN248.4]

参考文献:

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引证文献:

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同被引文献:

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