期刊文章详细信息
窄线宽1064 nm分布布拉格反射半导体激光器 ( EI收录)
Narrow Linewidth 1064 nm Distributed Bragg Reflector Semiconductor Laser
文献类型:期刊文章
Jia Baoshan;Wang Hao;Li Aimin;Wang Menghe;Du Jiyao;Li Hui;Li Zaijin;Bo Baoxue;Qu Yi(National Key Laboratory on High Power Semiconductor Lasers, Changchun University of Science and Technology, Changchun, Jilin 130022, China;~ School of Physics and Electronic Engineering, Hainan Normal University, Haikou , Hainan 571158, Chin;Quality Control and Evaluation Center, Changchun University of Science and Technology , Changchun, Jilin 130022, China)
机构地区:[1]长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,吉林长春130022 [2]长春理工大学质量监控与评估中心,吉林长春130022 [3]海南师范大学物理与电子工程学院,海南海口571158
基 金:国家自然科学基金联合基金(U1330136);2015年吉林省择优资助博士后科研项目
年 份:2018
卷 号:45
期 号:5
起止页码:35-39
语 种:中文
收录情况:AJ、BDHX、BDHX2017、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2017_2018、EI、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:1064nm分布布拉格反射(DBR)半导体激光器具有窄线宽、输出稳定的特性,在自由空间激光通信用种子光源等方面具有广阔的应用前景。设计了一种单模、窄线宽的1064nm DBR半导体激光器,利用金属有机化合物气相沉积技术生长出InGaAs应变量子阱半导体激光器材料,并制备出腔长为1200μm的脊型波导1064nm DBR半导体激光器。当注入电流为70mA时,室温下该激光器的连续输出功率可达到7mW,3dB光谱线宽为0.12nm。
关 键 词:激光器 1064nm半导体激光器 分布布拉格反射激光器 单模激光器 脊型波导 窄线宽
分 类 号:TN248.4]
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