文献类型：期刊文章

作　　者：高兵[1] 沈辉[1,2]

Gao Bing;Shen Hui(Department of Physics, Sun Yat-Sen University, Institute for Solar Energy Systems, Guangzhou 510006, China;Guangdong Provincial Key Laboratory of Photovoltaic Technology, Guangzhou 510006, China)

机构地区：[1]中山大学物理学院,太阳能系统研究所,广州510006 [2]广东省光伏技术重点实验室,广州510006

出　　处：《太阳能学报》

基　　金：广州市科技计划(201508010011);广东省省级科技计划(2014B050505010)

年　　份：2018

卷　　号：39

期　　号：5

起止页码：1284-1290

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、CSCD、CSCD2017_2018、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用软件wx AMPS模拟CIGS/Si异质结太电池的效率和不同工艺参数对电池性能的影响：前后端接触势垒分别为1.2 e V和0.21 e V,前（后）表面复合速率为1×107cm/s,选择功函数为5.4 e V的透明导电薄膜材料,p型CIGS的带隙和厚度为1.15 e V和3μm,并选择掺杂浓度为5×1016cm-3的n型硅片,最终模拟CIGS/Si异质结太阳电池的最佳效率为25.60%。希望该模拟数据为实际制备CIGS/Si异质结太电池作出正确的理论指导。

关 键 词：晶体硅太阳电池 数值模拟 转换效率  wxAMPS软件  

分 类 号：TK513.5]