文献类型：期刊文章

作　　者：王海宝[1] 郭海平[2] 王于波[3] 王峥[3] 郭彦[1]

Wang Haibao;Guo Haiping;Wang Yubo;Wang Zheng;Guo Yan(L Beijing Engineering Research Center of High-reliability IC with Power Industrial Grade, Beijing Smart-Chip Microelectronics Technology Co., Ltd,, Beijing 100192 , China;State Grid Key Laboratory of Power Industrial Chip Design and Analysis Technology , Beijing Smart-Chip Microelectronics Technology Co., Ltd., Beijing 100192, China;Jiangsu Multi-dimension Technology Co.,Ltd., Zhangjiagang 215634, Jiangsu, China)

机构地区：[1]北京智芯微电子科技有限公司北京市电力高可靠性集成电路设计工程技术研究中心,北京100192 [2]江苏多维科技有限公司,江苏张家港215634 [3]北京智芯微电子科技有限公司国家电网公司重点实验室电力芯片设计分析实验室,北京100192

出　　处：《电测与仪表》

基　　金：工业和信息化部项目(0714-EMTC02-5378/4)

年　　份：2018

卷　　号：55

期　　号：9

起止页码：103-107

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CSA、INSPEC、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：以50A的电流传感器为目标,建立了通电导线的磁场模型,利用有限元仿真软件计算出通电导线周围的磁场。基于在通电导线上方的两个位置磁场大小相等、方向相反的特点,设计了全桥拓扑结构的TMR元件。采用IrMn/CoFeB/Ru/CoFeB/MgO/CoFeB/NiFe/Ta的磁隧道结膜层结构,制备得到的TMR元件灵敏度为4.4mV/V/Oe,线性范围达到15Gs,offset仅为1%V_(cc)。利用该TMR元件构建的开环电流传感器,精度达到了1%,证明了TMR元件能够被用于电流传感器中。

关 键 词：TMR 电流传感器 有限元分析 高灵敏度

分 类 号：TM933]