文献类型：期刊文章

作　　者：邵龑[1] 丁士进[1]

Shao Yan;Ding Shi-Jin(State Key Laboratory of ASIC and System, School of Microelectronics, Fhdan University, Shanghai 200433, Chin)

机构地区：[1]复旦大学微电子学院,专用集成电路与系统国家重点实验室,上海200433

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号：61474027)资助的课题.

年　　份：2018

卷　　号：67

期　　号：9

起止页码：22-29

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、CSCD、CSCD2017_2018、EI、INSPEC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：对国际上有关铟镓锌氧化物薄膜晶体管中氢元素的来源、存在形式、表征方法以及对器件性能的影响进行了综述.氢元素是铟镓锌氧化物薄膜晶体管中最为常见的杂质元素,能以正离子和负离子两种形式存在于薄膜晶体管的沟道中,并对器件性能和电学可靠性产生影响.对铟镓锌氧化物薄膜晶体管而言,沟道中氢元素浓度越高,其场效应迁移率越高、亚阈值摆幅越小、器件的电学稳定性也越好.同时,工艺处理温度过低或过高都不利于其器件性能的改善,通常以200—300?C为宜.

关 键 词：铟镓锌氧化物  薄膜晶体管 氢元素杂质  电学可靠性  

分 类 号：TN321.5]