期刊文章详细信息
阻挡层抛光中布线槽铜电阻R_s的控制机制研究 ( EI收录)
Mechanism of Wiring Groove Copper Resistance Control for Barrier Layer Polishing
文献类型:期刊文章
Yue Xin;Liu Yuling;Wang Chenwei;Zheng Huan;Li Xiangzhou(Tianjin Key Laboratory of Electronic Materials and Devices, School of Electronic and Information Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin 300130, China)
机构地区:[1]河北工业大学电子信息工程学院天津市电子材料与器件重点实验室
基 金:国家科技中长期发展规划02重大专项项目(2016ZX02301003-004-007);河北省青年自然科学基金项目(F2015202267);河北工业大学优秀青年科技创新基金项目(2015007)资助
年 份:2018
卷 号:42
期 号:4
起止页码:386-392
语 种:中文
收录情况:AJ、BDHX、BDHX2017、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2017_2018、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:布线槽处铜线条的电阻Rs关系着集成电路的响应速度和芯片的电特性。阻挡层抛光的过程中会造成布线槽处铜线条电阻Rs的变化,为了实现Rs的变化可控,使用FA/O螯合剂和JFC活性剂进行实验测试和机制研究。测试结果表明布线槽铜线条电阻Rs的变化取决于铜线条厚度的大小,铜线条厚度的大小是由铜线条去除速率VCu决定的。对含有不同浓度FA/O螯合剂和JFC活性剂的抛光液进行电化学实验研究,结果表明螯合剂FA/O对Cu^2+有很强的螯合作用,可以促进抛光液对布线槽铜线条的化学作用,提高布线槽铜线条的去除速率VCu;活性剂JFC对布线槽铜线条表面有很强的钝化作用,可以抑制抛光液对布线槽铜线条的化学作用,减小布线槽铜线条的去除速率VCu。利用螯合剂FA/O的强螯合作用和活性剂JFC的强钝化作用实现了布线槽铜电阻Rs的控制。
关 键 词:布线槽 铜线条 电阻 阻挡层 钝化层
分 类 号:TN405]
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