文献类型：期刊文章

作　　者：张尔东[1] 曹一江[2] 肖飞[2]

机构地区：[1]哈尔滨石油学院信息工程学院电子信息工程系,黑龙江哈尔滨150027 [2]哈尔滨理工大学应用科学学院电子科学与技术系,黑龙江哈尔滨150080

出　　处：《科学技术创新》

年　　份：2017

期　　号：19

起止页码：106-107

语　　种：中文

收录情况：JST、普通刊

摘　　要：基于CMOS设计了一款结构简单、高性能的带隙基准电压源。采用N差分输入的二级运算放大器作为负反馈运算放大器,提高了整个电路的电源抑制比,并减小了基准电压的温度系数。经仿真分析可得,电路正常工作电压的范围是1.3 V^7V;温度从-6℃~85℃变化时,输出基准电压仅变化0.0003V,而在20℃至60℃时输出基准电压几乎不变,表现出良好的温度特性;温度滞回为30℃,电路很好的实现了温度保护的功能;在低频时,电源抑制比(PSRR)可达-71.62d B;整个反馈环路的相位裕度为90度。

关 键 词：带隙基准电压源 电源抑制比 温度系数

分 类 号：TN431.1]