期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
Yan Yuewu;An Junming;Zhang Jiashun;Wang Liangliang;Yin Xiaojie;Wu Yuanda;Wang Yue(State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China;College of Materials Science and Opto-Electronic Technology, University of Chinese Academy of Sc/ences, Beijing 100049, China)
机构地区:[1]中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室,北京100083 [2]中国科学院大学材料科学与光电技术学院,北京100049
基 金:国家863计划(2015AA016902);国家自然科学基金重点项目(61435013);国家自然科学青年基金(61405188);王宽诚教育基金会资助项目
年 份:2018
卷 号:55
期 号:2
起止页码:52-62
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX2017、CSCD、CSCD2017_2018、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:论述了光学相控阵的原理,回顾了光学相控阵的发展历程,特别是近年来硅光子相控阵的研究进展。利用与互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺线相兼容的绝缘体上硅(SOI)技术实现了大规模的集成,目前国外报道的最大的硅光子相控阵集成了4096个阵元。在硅光子上实现的二维光束扫描角度可以达到46°×36°,光束宽度只有0.85°×0.18°,天线的损耗小于3 d B,且旁瓣抑制大于10 d B。此外,采用微机电系统(MEMS)器件实现的光学相控阵的光束扫描速度超过0.5 MHz。阐述了各种方式实现光学相控阵的优缺点,并对未来发展前景进行了展望。最后,介绍了光学相控阵在激光雷达、成像、军事上的应用。
关 键 词:光学器件 光波导 光学相控阵 扫描角度 绝缘体上硅
分 类 号:TN252]
参考文献:
正在载入数据...
二级参考文献:
正在载入数据...
耦合文献:
正在载入数据...
引证文献:
正在载入数据...
二级引证文献:
正在载入数据...
同被引文献:
正在载入数据...