文献类型：期刊文章

作　　者：林来存[1] 王启东[1] 邱德龙[1] 伍恒[2] 薛恺[2] 于大全[2] 曹立强[1]

机构地区：[1]中国科学院微电子研究所,北京100029 [2]华进半导体封装先导技术研发中心有限公司,江苏无锡24135

出　　处：《北京理工大学学报》

基　　金：国家重大专项基金资助项目(2013ZX02502)

年　　份：2018

卷　　号：38

期　　号：1

起止页码：52-57

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2017、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2017_2018、EI、IC、INSPEC、JST、MR、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：本文对玻璃通孔与硅通孔垂直互连结构进行了电磁场仿真,并对比了两者的高频传输特性,结果显示在20GHz处,玻璃通孔与硅通孔的插入损耗分别为-0.024dB和-1.62dB,玻璃通孔的高频传输性能明显优于硅通孔.基于光敏玻璃衬底,采用高刻蚀速率的湿法腐蚀方法,获得了深宽比为7∶1的玻璃通孔,孔阵列均匀性良好,侧壁粗糙度小于1μm.对不同电流密度下的玻璃通孔填充工艺进行了仿真分析,结果显示在小电流密度下,开口处的电流密度拥挤效应改善明显,铜层生长速度更为均匀,但沉积速度较慢.基于仿真结果,进行了电流密度为1ASD下的通孔填充实验研究,结果显示填充效果良好,120μm的TGV中铜层生长均匀,70μm的TGV中的缝隙较小.

关 键 词：转接板技术  光敏玻璃 玻璃通孔  电流密度 填充工艺  

分 类 号：TN405.97]