文献类型：期刊文章

作　　者：张丽萍[1] 苗如林[1] 沈正皓[1] 郭立[1] 陈庆敏[1] 林海[1] 李春[1] 李建勳[2] 曾繁明[1] 刘景和[1]

机构地区：[1]长春理工大学,光电功能材料教育部工程研究中心,长春130022 [2]南京京晶光电科技有限公司,南京211100

出　　处：《硅酸盐学报》

基　　金：吉林省科技厅创新项目(20160414043GH)资助

年　　份：2018

卷　　号：46

期　　号：1

起止页码：59-63

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2017_2018、EI、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用不同粒径的W28和W7碳化硼（B4C）磨料对蓝宝石晶片进行研磨和化学机械抛光。研究了不同粒径的B4C磨料对蓝宝石晶片研磨和化学机械抛光后的移除率、粗糙度、平坦度、弯曲度、翘曲度等参数的影响。结果表明：W28和W7的磨料有不同的研磨和抛光性能,在相同的加工条件下,使用W28的B4C磨料,移除速率较快,但研磨所得蓝宝石晶片的损伤层较深,单面抛光20μm不足以去除其损伤层,抛光后表面划痕较多,粗糙度较大（Ra=1.319 nm,Rt=2.584 nm）,表面有明显起伏;而W7磨料的移除速率慢,研磨时间长,在单面抛光移除20μm后其损伤层全部移除,抛光所得蓝宝石晶片平坦度略佳,抛光表面平整,粗糙度较小（Ra=0.194 nm,Rt=0.361 nm）,无明显起伏,表面质量相对较高,适于精修平坦度。

关 键 词：蓝宝石 碳化硼磨料  移除速率  损伤层 粗糙度  

分 类 号：O786]