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期刊文章详细信息

掺铁碳化硅陶瓷的制备及其吸波性能    

Processing and Microwave-absorption Properties of Iron-containing SiC Ceramics

  

文献类型:期刊文章

作  者:刘星煜[1,2] 胡志明[1,2] 吴鹏飞[1,2] 董喜超[1,2] 郭长青[1,2] 苏智明[1,2] 刘安华[1,2]

机构地区:[1]厦门大学材料学院 福建省特种先进材料重点实验室 [2]高性能陶瓷纤维教育部重点实验室,福建厦门361005

出  处:《应用化学》

基  金:国家自然科学基金(51603175);中央高校基本科研业务费(20720150082)资助项目

年  份:2018

卷  号:35

期  号:2

起止页码:224-231

语  种:中文

收录情况:AJ、BDHX、BDHX2017、CAS、CSCD、CSCD2017_2018、JST、RSC、ZGKJHX、核心刊

摘  要:将羰基铁和液态聚碳硅烷(LPCS)反应生成的铁(Fe)溶胶与固态聚碳硅烷(PCS)混合,合成出不同Fe质量分数的PCS先驱体,然后经氧化交联和高温热解制备了不同Fe质量分数的磁性碳化硅陶瓷(Fe/SiC),系统地研究了Fe元素的引入对SiC陶瓷的组成、结构、磁性能和介电性能的影响规律。研究发现,当Fe质量分数小于8.94%时,在热解过程中,Fe元素可以显著促进SiCxOy的分解,生成β-SiC,且随着Fe质量分数的增加,β-SiC的结晶峰越来越强;但随着Fe质量分数继续增加,达11.78%时,则主要生成Fe3Si;Fe/Si C陶瓷均呈铁磁性,其饱和磁化强度随着Fe质量分数的增加而呈指数形式增加;当Fe质量分数为4.19%时Fe/SiC陶瓷在12.4 GHz具有最小的反射损耗,为-9.4 dB,同时低于-5 dB的带宽为2.4 GHz,Fe质量分数为8.94%时,低于-5 dB的带宽则为3.7 GHz,可用作良好的微波吸收材料。

关 键 词:碳化硅陶瓷 磁损耗 介电损耗 微波吸收材料

分 类 号:O613.7]

参考文献:

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同被引文献:

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