期刊文章详细信息
一种低触发电压高维持电压可控硅静电防护器件的设计与实现
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]湘潭大学物理与光电工程学院 微光电与系统集成湖南省工程实验室
年 份：2018
卷 号：0
期 号：3
起止页码：114-115
语 种：中文
收录情况：普通刊
摘 要：本文针对低压5V CMOS工艺中SCR(可控硅)静电防护器件高触发电压和低维持电压的缺点,在传统简单SCR的基础上,设计了一种新器件结构,该结构改变器件击穿面降低触发电压,通过内镶二极管的方式提高器件维持电压,避免闩锁风险。设计器件在0.5um CMOS工艺下进行了流片测试,TLP测试结果表明,内镶二极管的SCR新结构,其触发电压从18.89V降低到13.04V,维持电压从3.83 V提高到5.20V,适用于5V工作电压的芯片保护,有效解决了CMOS工艺中可控硅静电防护器件高触发电压和低维持电压的缺点。
关 键 词：SCR 触发电压 维持电压 TLP测试
分 类 号：TN916.38]
参考文献：
正在载入数据...
二级参考文献：
正在载入数据...
耦合文献：
正在载入数据...
引证文献：
正在载入数据...
二级引证文献：
正在载入数据...
同被引文献：
正在载入数据...
