文献类型：期刊文章

作　　者：谢元涛[1] 王凤起[1] 张弋泽[1] 蔡苇[1]

机构地区：[1]重庆科技学院冶金与材料工程学院,重庆401331

出　　处：《表面技术》

基　　金：国家自然科学基金(51402031;61404018;51372283);重庆高校创新团队建设计划(CXTDX201601032);重庆市高校优秀人才支持计划(2017-35);重庆科技学院大学生科技创新训练计划(201631)~~

年　　份：2018

卷　　号：47

期　　号：1

起止页码：33-38

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2017_2018、EI、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：铁酸铋是目前最为重要的室温单相多铁性材料,其禁带宽度较小,具有较大的剩余极化强度与较高的铁电居里温度,在铁电随机存储器、光电器件等领域有着极佳的应用前景。但铁酸铋薄膜因Bi3+挥发和Fe3+的部分还原,易产生较大漏电流而制约了其实际应用。对铁酸铋薄膜进行掺杂,是改善其电性能的一种有效手段。围绕如何通过铁酸铋薄膜A位和B位掺杂来减少Bi3+挥发和抑制Fe3+还原,从引入掺杂离子后发生的缺陷反应和微结构变化等方面,对国内外近年来关于铁酸铋薄膜电性能掺杂改性的系列工作进行综述。阐述了A位镧系和碱土金属离子、B位过渡金属离子、A/B位离子共掺对铁酸铋薄膜微结构、漏电流及铁电性等方面的改性研究进展。对改性效果进行了比较,并从缺陷反应、薄膜晶体结构和表面形貌等方面对改性机理进行了详细介绍。此外,还提出了亟待解决的问题。

关 键 词：铁酸铋 掺杂 漏电流 铁电性

分 类 号：O484.4]