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期刊文章详细信息

Mn掺杂LiMgP新型稀磁半导体的光电性质  ( EI收录)  

Photoelectric properties of Mn-doped LiMgP new diluted magnetic semiconductor

  

文献类型:期刊文章

作  者:陈婷[1] 庞军[1] 何红[1] 彭赟[1] 吴楠[1] 徐建[1] 杜成旭[1] 庞星星[1] 毋志民[1] 崔玉亭[1]

机构地区:[1]重庆师范大学物理与电子工程学院,光电功能材料重庆市重点实验室,重庆401331

出  处:《科学通报》

基  金:重庆市基础与前沿研究计划(cstc2014jcyj A50005);重庆师范大学教育名师培育计划(02030307-00031);重庆科技学院院士专家重点实验室合作项目(CQKL-1505);创新创业训练计划(201610637012,201610637103)资助

年  份:2017

卷  号:62

期  号:35

起止页码:4169-4178

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD2017_2018、EI、IC、JST、MR、RCCSE、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势法,对新型稀磁半导体Li_(1±y)(Mg_(1-x)Mn_x)P(x=0,0.125;y=0,0.125)体系进行几何结构优化,计算并对比分析了体系的电子结构、形成能、电荷重叠布局、差分电荷密度及光学性质.结果表明,LiMgP体系中化学键均表现为极化的共价键,磁性元素Mn的掺入形成了强于Mg-P的Mn-P共价键,且产生自旋极化杂质带,通过改变Li的计量数可以改变体系的性质和参与杂化的轨道.与单掺Mn相比,Li过量体系表现为金属性,杂质带宽度增大,而净磁矩减小,同时形成能降低,导电能力增强,Mn-P键的相互作用减弱;Li空位体系表现为半金属性,半金属能隙为0.478 eV,净磁矩为4.02μ_в,Mn-P键的重叠电荷布局数最大,键长最小,Mn和P原子之间的电子云最密集且共用电子对偏移程度最小,Mn3d和P3p间杂化作用最强.通过对比体系光学性质发现,Mn掺入后介电函数和光吸收谱在低能区出现新的峰值,同时复折射率函数也发生明显变化,体系扩大了对电磁波的吸收范围,能量损失明显减小.

关 键 词:Mn掺杂LiMgP  电子结构 电荷重叠布局  差分电荷密度  光学性质

分 类 号:O472]

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同被引文献:

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