文献类型：期刊文章

作　　者：吴佳骏[1] 谢生[1] 毛陆虹[2] 朱帅宇[1]

机构地区：[1]天津大学微电子学院天津市成像与感知微电子技术重点实验室,天津300072 [2]天津大学电气自动化与信息工程学院,天津300072

出　　处：《光子学报》

基　　金：国家自然科学基金(Nos.61474081;11673019)资助~~

年　　份：2018

卷　　号：47

期　　号：1

起止页码：1-6

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2017、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2017_2018、EI、IC、INSPEC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：基于深亚微米CMOS工艺,设计了一种采用非接触式P阱保护环来抑制边缘击穿的单光子雪崩二极管结构.采用器件仿真软件Silvaco Atlas分析了保护环间距对器件的电场分布和雪崩触发概率等特性的影响,结合物理模型计算了所设计器件的暗计数概率和光子探测效率.仿真和计算结果表明,保护环间距d=0.6μm时器件性能最优,此时击穿电压为13.5V,暗电流为10-11 A.在过偏压为2.5V时,门控模式下的暗计数概率仅为0.38%,器件在400~700nm之间具有良好的光学响应,500nm时的峰值探测效率可达39%.

关 键 词：光电器件 单光子雪崩二极管  CMOS工艺 深n阱  保护环 响应度 光子探测效率  

分 类 号：TN364]