文献类型：期刊文章

作　　者：刘翠红[1] 陈传誉[2] 马本堃[1]

机构地区：[1]北京师范大学物理系和理论物理研究所,北京100875 [2]广州大学理学院物理与电子信息系,广州510405

出　　处：《物理学报》

基　　金：广东省自然科学基金 (批准号 :980 3 78)资助的课题~~

年　　份：2002

卷　　号：51

期　　号：9

起止页码：2022-2028

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSCD、CSCD2011_2012、EI(收录号：2004057994498)、IC、INSPEC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000178110800022)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：利用密度矩阵的方法 ,得出了考虑极化子效应的量子盘的线性和非线性光吸收系数的解析表达式 ,并以GaAs为例讨论了光吸收系数与不同的入射光子能量和量子盘的厚度之间的关系 .结果表明 。

关 键 词：量子盘 极化子效应 线性光吸收系数  量子点 非线性光吸收系数  半导体 非线性光学

分 类 号：O472.3] O471.1[物理学类]