文献类型：期刊文章

作　　者：戴恩琦[1] 王欢欢[1] 谢汝平[1] 叶杉杉[1] 陈雨欣[1] 高凝[1] 张帅[1] 吕文辉[1]

机构地区：[1]湖州师范学院理学院应用物理系,浙江湖州313000

出　　处：《光电子．激光》

基　　金：浙江省自然科学基金(LY15F040002);国家大学生创新训练计划(201610347007);浙江省大学生科技创新活动计划项目新苗人才计划(2016R427017);湖州师范学院自然科学(2014XJKY48)资助项目

年　　份：2017

卷　　号：28

期　　号：12

起止页码：1325-1330

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD2017_2018、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、核心刊

摘　　要：利用金属辅助硅化学刻蚀法在晶体硅表面制备了大面积有序硅纳米结构,并基于金属辅助硅化学刻蚀的机理,实现了硅纳米结构从线阵列到孔阵列转变。漫反射光谱的测试结果表明,相对于平面、金字塔结构,硅纳米孔织构的晶体硅具有卓越的减反光性能,在300~1 100nm光谱范围内的AM1.5G太阳光子的光反射损失比低于3.6%。硅纳米孔阵列减反光性能优异,制备方法简单、快速,且其孔壁互连,有益于晶体硅太阳电池的后续制备工艺及其表面结构机械稳定,可作为减反光结构应用于晶体硅太阳电池。

关 键 词：硅纳米孔  减反光结构  晶体硅太阳电池 减反光性能  

分 类 号：TM914.4]