文献类型：期刊文章

作　　者：徐家跃[1] 冯海威[1] 潘芸芳[1] 张彦[1] 范世[马岂][1]

机构地区：[1]上海应用技术大学材料科学与工程学院,晶体生长研究所,上海201418

出　　处：《硅酸盐学报》

基　　金：国家自然科学基金(51342007,51572175);“973”前期专项(2011CB612310)资助

年　　份：2017

卷　　号：45

期　　号：12

起止页码：1748-1757

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD2017_2018、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：硅酸铋(Bi_4Si_3O_(12),BSO)晶体是一种具有闪铋矿结构的氧化物闪烁材料,其衰减时间快于锗酸铋(BGO)晶体,光输出高于钨酸铅(PWO)晶体,被认为是双读出量能器最佳的候选材料之一。综述了硅酸铋晶体在相关系、晶体生长、闪烁性能、掺杂改性等方面的研究进展,比较了不同生长方法的优缺点,总结了稀土掺杂对硅酸铋晶体性能以及结晶习性的影响。研究发现:少量Dy^(3+)掺杂能显著提高硅酸铋晶体的光输出,其发光机理可能与Dy3+的占位有关,高浓度掺杂因为引入竞争性的发光中心而导致光输出下降。此外,掺杂硅酸铋晶体在荧光发光和激光等领域有潜在应用。

关 键 词：硅酸铋晶体 坩埚下降法 闪烁发光  掺杂  析晶行为

分 类 号：O482]