文献类型：期刊文章

作　　者：刘远[1,2] 何红宇[3,4] 陈荣盛[2] 李斌[2] 恩云飞[1] 陈义强[1]

机构地区：[1]工业和信息化部电子第五研究所,电子元器件可靠性物理及其应用技术国家重点实验室,广州510610 [2]华南理工大学微电子学院,广州510640 [3]北京大学深圳研究生院信息工程学院,深圳518005 [4]南华大学电气工程学院,衡阳421001

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:61574048);广东省科技重大专项(批准号:2015B090912002);广州市珠江科技新星专项(批准号:201710010172)资助的课题~~

年　　份：2017

卷　　号：66

期　　号：23

起止页码：254-261

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD2017_2018、EI、IC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：针对氢化非晶硅薄膜晶体管(hydrogenated amorphous silicon thin film transistor,a-Si:H TFT)的低频噪声特性展开实验研究.由测量结果可知,a-Si:H TFT的低频噪声特性遵循1/f~γ(f为频率,γ≈0.92)的变化规律,主要受迁移率随机涨落效应的影响.基于与迁移率涨落相关的载流子数随机涨落模型(?N-?μ模型),在考虑源漏接触电阻、局域态俘获及释放载流子效应等情况时,对器件低频噪声特性随沟道电流的变化进行分析与拟合.基于a-Si:H TFT的亚阈区电流-电压特性提取器件表面能带弯曲量与栅源电压之间的关系,通过沟道电流噪声功率谱密度提取a-Si:H TFT有源层内局域态密度及其分布.实验结果表明:局域态在禁带内随能量呈e指数变化,两种缺陷态在导带底密度分别约为6.31×10^(18)和1.26×10^(18)cm^(-3)·eV^(-1),特征温度分别约为192和290 K,这符合非晶硅层内带尾态密度及其分布特征.最后提取器件的平均Hooge因子,为评价非晶硅材料及其稳定性提供参考.

关 键 词：非晶硅 薄膜晶体管 低频噪声 局域态密度

分 类 号：TN321.5]