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SJ/T 10630-1995《电子元器件制造防静电技术要求》标准新解
Interpretation of SJ/T 10630-1995,Antistatic requirements for manufacturing electronic element and device
文献类型：期刊文章
机构地区：[1]北京东方计量测试研究所 [2]北京第二十中学 [3]中国空间技术研究院通信卫星事业部
年 份：2017
期 号：11
起止页码：91-94
语 种：中文
收录情况：JST、NSSD、普通刊
摘 要：标准SJ/T 10630-1995《电子元器件制造防静电技术要求》规定并规范了静电放电敏感电子元器件在研制、生产检验中的静电防护技术要求。本文对标准SJ/T 10630中提及的MOS结构与半导体结的静电敏感原因进行了分析,并重点结合国际前沿的Al Ga N/Ga N异质结场效应晶体管的栅极肖特基接触电流电压特性,对标准SJ/T 10630进行了新的解读与分析,建议尽快修订标准SJ/T 10630,以适应越来越高的电子元器件静电敏感度。
关 键 词：SJ/T 10630 电子元器件 静电防护 静电敏感度
分 类 号：TN605]
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