文献类型：期刊文章

作　　者：张伟儒[1] 郑彧[1] 李正[1] 高崇[1] 童亚琦[1]

机构地区：[1]北京中材人工晶体研究院有限公司,北京100018

出　　处：《真空电子技术》

基　　金：北京市科技计划课题(Z171100002017015)

年　　份：2017

卷　　号：30

期　　号：5

起止页码：20-23

语　　种：中文

收录情况：ZGKJHX、普通刊

摘　　要：陶瓷材料具有优异的力学强度,并具有高熔点、高硬度、高耐磨性、耐氧化等优点,是半导体器件,特别是大功率半导体器件绝缘基片的重要材料。随着半导体器件向大功率化、高频化的不断发展,对陶瓷绝缘基片的导热性和力学性能都提出了更高的要求。本文在半导体器件对基片材料性能要求的基础上,介绍了目前常用的氧化铍、氧化铝和氮化铝的性能及应用前景。阐述了新型陶瓷基板材料氮化硅陶瓷的物理力学性能,并与氧化铝和氮化铝的性能进行了比较,分析了氮化硅陶瓷基片在半导体器件上的应用优势,并对其未来前景进行了展望。

关 键 词：半导体 陶瓷绝缘基板  氮化硅陶瓷 热导率

分 类 号：TN304]