文献类型：期刊文章

作　　者：刘强[1,2] 蔡剑辉[1,2] 何佳铸[3] 王翼泽[2] 张栋梁[2] 刘畅[2] 任伟[1] 俞文杰[2] 刘新科[3] 赵清太[4]

机构地区：[1]上海大学物理系量子与分子结构国际中心,材料基因研究院,上海200444 [2]中科院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海200050 [3]深圳大学材料学院,深圳市特种功能材料重点实验室,深圳518060 [4]德国于利希研究中心,德国于利希52425

出　　处：《红外与毫米波学报》

基　　金：Supported by the National Natural Science Foundation of China(61674161,61504083);Open Project of State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics,Public welfare capacity building in Guangdong Province(2015A010103016);the Science and Technology Foundation of Shenzhen(JCYJ20160226192033020)

年　　份：2017

卷　　号：36

期　　号：5

起止页码：543-549

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD2017_2018、DOAJ、EI、IC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：在SiO_2/Si(P^(++))衬底上制备了多层MoS_2背栅器件并进行了测试.通过合理优化和采用10 nm SiO_2栅氧,得到了良好的亚阈值摆幅86 mV/dec和约107倍的电流开关比.该器件具有较小的亚阈值摆幅和较小的回滞幅度,表明该器件具有较少的界面态/氧化物基团吸附物.由栅极漏电造成的漏极电流噪声淹没了该器件在小电流(~10^(-13)A)处的信号,限制了其开关比测量范围.基于本文以及前人工作中MoS_2器件的表现,基于薄层SiO_2栅氧的MoS_2器件表现出了良好的性能和潜力,显示出丰富的应用前景.

关 键 词：MoS2场效应晶体管  良好的亚阈值斜率  SIO2栅介质 界面态密度

分 类 号：TN386.2]