文献类型：期刊文章

作　　者：谢宁致[1] 祝巍[2]

机构地区：[1]中国科学技术大学少年班学院,安徽合肥230026 [2]中国科学技术大学物理学院物理实验教学中心,安徽合肥230026

出　　处：《物理实验》

基　　金：国家自然科学基金项目(No.51602302);国家基础科学人才培养基金项目(No.J1103207)

年　　份：2017

卷　　号：37

期　　号：10

起止页码：1-5

语　　种：中文

收录情况：JST、普通刊

摘　　要：探究了不同衬底温度下由磁控溅射法制备的氧化锌掺铝(AZO)薄膜的结构、光学和电学性能,以及快速退火处理对样品电学性能的改善作用.实验结果表明:随着衬底温度的升高,薄膜样品的载流子浓度、霍尔迁移率和电导率提高,并在400℃附近达到较好水平,但高温的衬底沉积出的样品薄膜的XRD图谱半高全宽相对于低温衬底并没有明显变小.测量退火处理后的样品薄膜的电学性质,发现短时间的真空退火能改善低温沉积的AZO薄膜的电导率,与提高衬底温度有类似的改善效果,700℃的退火温度能达到最好效果.

关 键 词：AZO薄膜 磁控溅射  衬底温度 真空退火 电学性能  

分 类 号：O484]