文献类型：期刊文章

作　　者：李亚玮[1] 胡志强[1] 徐书林[1]

LI Yawei HU Zhiqiang XU Shulin(Institute of New Energy Material, Dalian Polytechnic University, Dalian 116034, China)

机构地区：[1]大连工业大学新能源材料研究所,辽宁大连116034

出　　处：《大连工业大学学报》

年　　份：2017

卷　　号：36

期　　号：4

起止页码：279-282

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2014、CAB、CAS、IC、PROQUEST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：通过脉冲磁控溅射法在掺氟氧化锡透明导电薄膜(FTO)基底上制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜。研究了溅射时间和衬底温度对FTO基底上制备的ITO薄膜的光透过率和电性能的影响。采用SZT-2四探针测试仪测量样品表面的电阻,用扫描电镜(SEM)对样品进行表征。结果表明,随着溅射时间的增加以及衬底温度的升高,以FTO导电薄膜为基底制备的氧化铟锡(ITO)透明导电膜的电阻逐渐减小,而后基本保持不变。在基片温度为400℃、溅射时间为45min时,方块电阻最小值达到1.5Ω。

关 键 词：脉冲磁控溅射  透明导电薄膜 氧化铟锡薄膜

分 类 号：TB321[材料类]