文献类型：期刊文章

作　　者：王善兰[1] 廖杨芳[1,2] 房迪[1] 吴宏仙[1] 肖清泉[1] 杨云良[1] 谢泉[1]

WANG Shanlan LIAO Yangfang FANG Di WU Hongxian XIAO Qingquan YANG Yunliangl XIE Quan(Institute of Advanced OptoeIectronic Materials and Technology, ColIege of Big Data and Information Engineering Guizhou University, Guiyang 550025, China School of Physics and Electronic Science, Guizhou Normal University, Guiyang 550001, China)

机构地区：[1]贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所,贵州贵阳550025 [2]贵州师范大学物理与电子科学学院,贵州贵阳550001

出　　处：《量子电子学报》

基　　金：国家自然科学基金;61264004;贵州省自然科学基金;[2014]2052;[2013]2209;贵州省国际科技合作项目;[2013]7003;贵州大学研究生创新基金;2016068~~

年　　份：2017

卷　　号：34

期　　号：5

起止页码：635-640

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CSCD、CSCD_E2017_2018、核心刊

摘　　要：用磁控溅射方法在Si衬底上制备了A1掺杂Mg_2Si薄膜,通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和分光光度计研究了掺杂含量对Mg2Si薄膜组分、表面形貌、粗糙度及光学带隙值的影响。XRD结果表明随着A1掺杂量的增加,Mg2Si衍射峰先增强后减弱。SEM及AFM的结果表明随掺杂量的增加,结晶度先增加后降低,晶粒尺寸减小,粗糙度先增加后降低.得到掺杂后薄膜间接跃迁带隙范围为0.423~0.495 eV,直接跃迁带隙范围为0.72~0.748 eV,掺杂前薄膜间接跃迁带隙和直接跃迁带隙分别为0.53 eV、0.833 eV.

关 键 词：材料  MgzSi薄膜  A1掺杂  光学带隙 显微  

分 类 号：TB303[材料类]