文献类型：期刊文章

作　　者：阮璐风[1] 王磊[1] 孙得彦[1]

Ruan Lu-Feng Wang Lei Sun De-Yan(Department of Physics, School of Physics and Material Science, East China Normal University, Shanghai 200241, China Received 27 April 2017, revised manuscript received 10 June 2017)

机构地区：[1]华东师范大学物理与材料科学学院物理学系,上海200241

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:11174079);国家重点基础研究发展计划(批准号:2012CB921401)资助的课题~~

年　　份：2017

卷　　号：66

期　　号：18

起止页码：210-217

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD2017_2018、EI、IC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,系统地研究了La_(1-x)Sr_xMnO_3层中Sr的掺杂方式和掺杂量对4La_(1-x)Sr_xMnO_3/3LaAlO_3/4SrTiO_3(LSMO/LAO/STO)异质结构原子和电子结构的影响.结果表明:对于相同的Sr掺杂量,掺杂方式的差异对体系电子结构的影响微弱,不会导致体系发生金属-绝缘体转变;掺杂量的不同对体系电子结构有着显著的影响,当Sr的掺杂量较少时,LAO/STO界面处存在着准二维电子气,当Sr的掺杂量高于1/3时,LAO/STO界面处准二维电子气消失.我们相信,Sr的引入以及通过Sr掺杂量的改变可以对LSMO覆盖层极化进行调控,这也是导致体系LAO/STO界面处金属-绝缘体转变的可能原因,进一步为极化灾变机制导致的界面处电子重构提供了证据.

关 键 词：第一性原理计算 氧化物异质结构  掺杂  准二维电子气  

分 类 号：O469]