文献类型：期刊文章

作　　者：杨学弦[1] 宁杨华[1] 王小云[1] 赵鹤平[1]

机构地区：[1]吉首大学物理与机电工程学院材料制备实验室,湖南吉首416000

出　　处：《发光学报》

基　　金：国家自然科学基金(11602094;11564013;11564012);湖南省自然科学基金(2015JJ6094);湖南省教育厅优秀青年项目(15B189);湖南省高校科技创新团队支持计划资助项目~~

年　　份：2017

卷　　号：38

期　　号：9

起止页码：1192-1197

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD2017_2018、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：以键弛豫理论和核壳模型为基础,建立尺寸-键参数-拉曼谱三者统一的函数关系式,得到了不同尺寸下的Ⅳ族材料键长、键能和配位数。阐明了小尺寸下的Ⅳ族材料拉曼谱发生红移是由于有效配位数缺失引起的。通过这一理论方法可以得到拉曼谱中含有的物理信息,极大地扩展拉曼散射技术的应用范围。

关 键 词：拉曼频移 键参数 纳米尺寸

分 类 号：O641]