文献类型：期刊文章

作　　者：戴中华[1] 钱一辰[1] 谢耀平[1] 胡丽娟[1] 李晓娣[1] 马海涛[1]

机构地区：[1]上海大学材料科学与工程学院材料研究所微结构重点实验室,上海200072

出　　处：《物理学报》

基　　金：上海市自然科学基金(批准号:15ZR1416000);国家自然科学基金委员会中国工程物理研究院NSAF联合基金(批准号:U1530115);国家自然科学基金(批准号:51301102)资助的课题~~

年　　份：2017

卷　　号：66

期　　号：16

起止页码：220-230

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD2017_2018、EI、IC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000410789900026)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：采用第一性原理方法系统地研究了沿(001)、(101)和(111)面施加晶面内各方向应变不相等的双轴张应变,即非对称双轴张应变对锗能带结构的影响.结果表明:对于沿(001)面施加非对称双轴张应变,至少某一个方向应变大于2.95%,间接-直接带隙转变才能发生;对于沿(101)面施加非对称双轴张应变,至少某一个方向应变大于3.44%,间接-直接带隙转变才能发生;然而,沿(111)面施加非对称双轴张应变,不发生间接-直接带隙转变.另外,研究还发现无论是施加对称双轴应变还是非对称双轴应变,间接-直接带隙转变得到的应变Ge带隙值都与应变前后拉伸面面积变化大小成反比.

关 键 词：应变Ge  双轴张应变  能带结构  第一性原理

分 类 号：O471.5]