文献类型：期刊文章

作　　者：万凌云[1,2] 莫春兰[1,2] 彭学新[1,2] 熊传兵[1,2] 王立[1,2] 江风益[1,2]

机构地区：[1]南昌大学材料科学研究所,江西南昌330047 [2]教育部发光材料与器件工程研究中心,江西南昌330047

出　　处：《发光学报》

基　　金：国家863计划新材料领域资助项目(715-001-0012)

年　　份：2002

卷　　号：23

期　　号：4

起止页码：352-356

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、INSPEC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用MOCVD技术在Al2O3（0001）衬底上生长了GaN薄膜,使用透射光谱、光致发光光谱和X射线双晶衍射三种技术测试了五类GaN薄膜样品。实验结果表明:GaN薄膜透射谱反映出的GaN质量与X射线双晶衍射测量的结果一致,即透射率越大,半高宽越小,结晶质量越好;而X射线双晶衍射峰半高宽最小的样品,其PL谱的带边峰却很弱,这说明PL谱反映样品的光学性能与X射线双晶衍射获得的结晶质量不存在简单的对应关系。同时还报导了一种特殊工艺生长的高阻GaN样品的RBS/沟道结果。

关 键 词：单晶膜  GaN  MOCVD 透射光谱 X射线双晶衍射 PL谱 RBS/沟道  薄膜生长

分 类 号：O472.3] TN304.055[物理学类]