文献类型：期刊文章

作　　者：宋亚峰[1] 师李寰宇[1] 陈显平[2] 杨超普[3] 檀春健[2] 朱勤生[4] 李辉杰[4]

机构地区：[1]商洛学院电子信息与电气工程学院物理系,陕西商洛726000 [2]重庆大学光电工程学院,重庆400044 [3]商洛学院化学工程与现代材料学院,陕西商洛726000 [4]中国科学院半导体研究所材料重点实验室,北京100083

出　　处：《中国锰业》

基　　金：国家自然科学基金项目(Nos.61504128;61504129;61274041和11275228);陕西省自然科学基础研究计划资助项目(2017JQ6011);商洛市科学技术研究发展计划资助项目(SK2015-35);商洛学院科学与技术研究基金项目(15SKY025)

年　　份：2017

卷　　号：35

期　　号：4

起止页码：89-92

语　　种：中文

收录情况：ZGKJHX、普通刊

摘　　要：MoS_2二维材料由于其本身就具有直接带隙且带隙不为零,具有优于石墨烯的能带结构,是良好的半导体材料,在电学、磁学、及未来电子器件等方面都有良好的性质和应用前景。利用第一性原理方法,通过替位掺杂的方式,研究了不同浓度F掺杂单层MoS_2的能带结构和各种态密度图,并与本征单层MoS_2及文献中的掺Cl、掺O结果做了对比,分析了各自的电子结构、导电性和磁性。结果发现:掺F后单层MoS_2由直接带隙变成间接带隙,单层MoS_2的禁带宽度从本征的1.718e V减小到1.301 e V,且随着F掺杂浓度的增加,带隙更加变窄,体系的导电性更加增强。带隙的调节程度大于文献中掺Cl的效果而小于掺O的效果。磁性方面,本征的MoS_2无磁性,发现掺F后出现了一定磁性,且随着F掺杂浓度的增加其磁性增加。这些结果有利于对MoS_2优化改性和调控从而在微电子器件和半导体自旋电子学方面的应用。

关 键 词：单层MoS2  第一性原理 掺杂 电子结构

分 类 号：O474] TN304.9[物理学类]