文献类型：期刊文章

作　　者：王趱[1,2] 姜伟[1] 李三喜[1]

机构地区：[1]沈阳工业大学材料科学与工程学院,辽宁沈阳110870 [2]沈阳化工大学分析测试中心,辽宁沈阳110142

出　　处：《辽宁工程技术大学学报（自然科学版）》

基　　金：高等院校博士学科专项科研基金(20122102110007);辽宁省自然科学基金(2013020109);辽宁省大学科研创新团队项目(LT2014004)

年　　份：2017

卷　　号：36

期　　号：8

起止页码：836-839

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、IC、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用Sol-gel法,以Pt/Ti/SiO_2/Si为衬底在700℃下退火20 min制备了Sb^(3+)摩尔含量分别为0.1、0.2、0.3、0.4、0.5和0.6的Bi_(2-x)Sb_xTi_2O_7薄膜.通过对薄膜进行XRD、SEM和C-V、J-V曲线测试,详细讨论了不同Sb^(3+)含量对Bi2Ti2O7薄膜在结构、表面形貌、电容和漏电流等方面的影响.研究结果表明:Sb^(3+)的掺杂在没有改变Bi_2Ti_2O_7薄膜焦绿石结构的基础上提高了薄膜的稳定性;Sb^(3+)的掺杂提高了薄膜的电容值,尤其是当Sb^(3+)摩尔含量为0.3时,电容峰值达到3.8×10^(-9)F;同时,Sb^(3+)的掺杂显著改善了薄膜的漏电流性能,使薄膜的漏电流密度可以低至1.1×10^(-10)A/cm^2.

关 键 词：Sb3+掺杂  Sol—gel技术  Bi2-xSbxTi2O7薄膜  C-V曲线  J-V曲线  漏电流密度.  

分 类 号：O6[化学类]