文献类型：期刊文章

作　　者：李彬[1] 陈伟[1] 黄晓峰[1] 迟殿鑫[1] 姚科明[1] 王玺[1] 柴松刚[1] 高新江[1]

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第四十四研究所化合物半导体光电子事业部,重庆400060

出　　处：《红外与毫米波学报》

基　　金：中国电子科技集团创新基金项目(KJ1402011)~~

年　　份：2017

卷　　号：36

期　　号：4

起止页码：420-424

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD2017_2018、DOAJ、EI、IC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000414620100008)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：通过理论计算和对比实验研究了InGaAs/InP单光子雪崩光电二极管中InP顶层掺杂浓度对于器件性能的影响.理论结果显示,InP顶层的掺杂浓度越低越有利于抑制边缘击穿,降低隧穿暗载流子产生速率,提高雪崩击穿几率.实验结果显示,顶层非故意掺杂的器件在223K下获得了20%的单光子探测效率和1kHz的暗计数率,其单光子探测效率比顶层掺杂浓度为5×10^(15)/cm^3的器件高3%~8%,而暗计数率低一个量级.结果表明,降低InP顶层的掺杂浓度有利于提高器件性能.

关 键 词：INGAAS/INP 单光子雪崩光电二极管  顶层  掺杂浓度  

分 类 号：O47]