文献类型：期刊文章

作　　者：程知群[1] 轩雪飞[1] 刘国华[1] 赵子明[1]

机构地区：[1]杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,杭州310018

出　　处：《微波学报》

基　　金：浙江省自然科学基金重点资助项目(LZ16F010001);浙江省公益技术研究资助项目(2016C31070)

年　　份：2017

卷　　号：33

期　　号：4

起止页码：55-58

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CSCD、CSCD2017_2018、核心刊

摘　　要：提出了一款4G频段全覆盖高输出功率高效率功率放大器。设计采用的是Cree公司提供的Ga N HEMT晶体管CGH40025F。基于F类功率放大器的设计理论,通过对晶体管的输入输出端均采用谐波控制网络,并将渐变式阻抗匹配这种宽带匹配方法应用到输入输出端的基波匹配当中。在实现二次谐波阻抗匹配至低阻抗区,三次谐波阻抗匹配至高阻抗区的同时基波阻抗被匹配至50Ω附近,从而有效提高了功率放大器的输出功率、效率和带宽。最终的测试结果表明在1.7~2.7 GHz频率范围内,漏极效率维持在62.55%~76%,输出功率在20~41W,增益在10 d B以上。仿真与实测结果基本一致。

关 键 词：高效率  高输出功率 宽带 F类功率放大器 谐波控制

分 类 号：TN722.75]