期刊文章详细信息
Gd掺杂对无氟金属有机物沉积法制备Y1-xGdxBCO薄膜的应力调控 ( EI收录)
Stress mechanism of Y_(1-x)Gd_xBCO thin film with Gd substitution prepared by F-free metal organic deposition method
文献类型:期刊文章
机构地区:[1]南京邮电大学电子科学与工程学院,南京210003 [2]南京邮电大学理学院,先进功能陶瓷研究中心,南京210003 [3]南京大学(苏州)高新技术研究所,苏州215123
基 金:国家自然科学基金(批准号:11405089);江苏省“六大人才高峰”人才项目(批准号:2014-XCL-015);苏州市科技局纳米技术专项基金(批准号:ZXG201444);南京邮电大学自然科学基金(批准号:NY215124,NY214105)资助的课题~~
年 份:2017
卷 号:66
期 号:15
起止页码:206-212
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD2017_2018、EI、IC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号:WOS:000410775700023)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊
摘 要:为了揭示Gd掺杂对克服YBa_2Cu_3O_(7-δ)(YBCO)薄膜厚度效应的机制,采用无氟金属有机物沉积法在铝酸镧基底上沉积制备了一系列不同掺杂比例的Y_(1-x)Gd_xBCO薄膜,并且采用X射线衍射、扫描电子显微镜、Raman光谱仪分析薄膜的生长取向、微观形貌以及晶格振动特征,系统地研究了Gd掺杂对应力的调控机制.结果表明:随着Gd掺杂比例的增加,晶体的晶格常数变大,导致膜内的张应力增加,薄膜的c轴取向也随之升高;但是随着Gd含量的进一步增加,会使薄膜结构恶化,性能下降;当Gd:Y的掺杂比例为1:1时,薄膜的c轴晶粒取向最佳,可以有效克服厚度效应.
关 键 词:YBA2CU3O7-Δ GD掺杂 RAMAN
分 类 号:O484]
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