文献类型：期刊文章

作　　者：李春亚[1] 张浩[1,2] 宋建涛[1] 丁星伟[1] 魏斌[1]

机构地区：[1]上海大学新型显示技术及应用集成教育部重点实验室,上海200072 [2]福建江夏学院电子信息科学学院有机光电子福建省高校工程研究中心,福州350108

出　　处：《功能材料》

基　　金：国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2015CB655005);上海科委资助项目(16142202900);国家博士后基金资助项目(2015M580315)

年　　份：2017

卷　　号：48

期　　号：7

起止页码：7178-7181

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD_E2017_2018、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用原子层沉积技术(ALD)进行Al_2O_3薄膜工艺研究,获得85℃低温Al_2O_3薄膜ALD的最佳工艺条件。使用椭偏仪测试厚度,使用扫描探针显微镜对薄膜表面形貌进行分析,使用紫外-分光光度计对薄膜的透过率进行分析,所用水汽透过率测试仪器是自行开发的基于钙电学法的测试仪器。分析了在85℃低温下的生长工艺条件对薄膜性能的影响,从前驱体脉冲时间,吹扫时间等工艺条件,对Al_2O_3薄膜的工艺条件进行优化。以三甲基铝(TMA)和H_2O为前驱体制备的Al_2O_3薄膜:沉积速率为0.1nm/cycle,表面粗糙度为0.46nm,对550nm波长光透过率为99.2%,薄膜厚度不均匀性为1.89%,200 nm的Al_2O_3薄膜的水汽透过率为1.55×10^(-4) g/m^2/day。

关 键 词：原子层沉积 AL2O3薄膜 三甲基铝  脉冲

分 类 号：TB332[材料类]