文献类型：期刊文章

作　　者：刘琼[1] 马守宝[1] 钱晓晨[1] 阮俊[1] 卢忠荣[1] 陶春先[1]

机构地区：[1]上海理工大学光电信息与计算机工程学院,上海市现代光学系统重点实验室,教育部光学仪器与系统工程研究中心,上海20009

出　　处：《光子学报》

基　　金：上海高校青年教师培养资助计划~~

年　　份：2017

卷　　号：46

期　　号：6

起止页码：225-230

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD2017_2018、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用真空热阻蒸方式在CMOS图像传感器感光面上镀制不同厚度性比价高的Lumogen薄膜.研究发现不同Lumogen薄膜厚度的CMOS传感器的暗电流噪声未发生明显变化,说明真空热蒸发方式对互补金属氧化物半导体器件本身未造成热损伤;光响应非均匀度随膜厚增加而增大;动态范围却随膜厚增加而减小;量子效率随膜厚增加呈现先增大后减小.同时,研究发现敏化膜层最佳厚度为389nm,此时CMOS传感器的量子效率提高了10%,且光响应非均匀度,动态范围均在相对较好的范围内.

关 键 词：传感器技术 薄膜技术  紫外敏化  互补金属氧化物半导体传感器  荧光材料  量子效率 动态范围  

分 类 号：TN206] TN209