文献类型：期刊文章

作　　者：柴小力[1,2] 张宇[1,2] 廖永平[1,2] 黄书山[1,2] 杨成奥[1,2] 孙姚耀[1,2] 徐应强[1,2] 牛智川[1,2]

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所超晶格实验室,北京100083 [2]中国科学技术大学量子信息与量子科技前沿协同创新中心,安徽合肥230026

出　　处：《红外与毫米波学报》

基　　金：Supported by the National Basic Research Program of China(2014CB643903,2013CB932904);the National Natural Science Foundation of China(61435012,61306088,61274013)

年　　份：2017

卷　　号：36

期　　号：3

起止页码：257-260

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2014、CAS、CSCD、CSCD2017_2018、DOAJ、EI、IC、JST、RCCSE、SCI-EXPANDED(收录号：WOS:000406085000001)、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：成功制备出2.6μmGaSb基I型InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱高功率半导体激光器.利用分子束外延设备(MBE)生长出器件的材料结构.为了得到更好的光学质量,将量子阱的生长温度优化至500℃,并将量子阱的压应变调节为1.3%.制备了脊宽100μm、腔长1.5mm的激光单管器件.在未镀膜下该激光器实现了最大328mW室温连续工作,阈值电流密度为402A/cm^2,在脉冲工作模式下,功率达到700mW.

关 键 词：镓锑基  半导体激光器  量子阱  中红外

分 类 号：O43]