文献类型：期刊文章

作　　者：范玉[1] 李晓东[1,2] 林舒平[1] 张毅[1] 刘芳芳[1] 周志强[1] 孙云[1] 刘玮[1]

机构地区：[1]南开大学电子信息与光学工程学院天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室,天津300071 [2]天津恒电空间电源有限公司,天津300384

出　　处：《人工晶体学报》

基　　金："扬帆计划"引进创新创业团队专项资助(2014YT02N037);广东省科技计划产学研项目(2015B090901027)

年　　份：2017

卷　　号：46

期　　号：6

起止页码：996-1001

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CSCD、CSCD2017_2018、核心刊

摘　　要：通过射频磁控溅射(MS)工艺,在不同溅射功率下制备Zn(O,S)薄膜,并将其应用于CIGS异质结器件结构中。采用XRD、XRF、台阶仪、透反射光谱仪、SEM以及wx AMPS仿真软件对Zn(O,S)薄膜以及MS-Zn(O,S)/CIGS异质结器件进行研究。结果表明,低功率条件下(<80 W),Zn(O,S)薄膜内S/Zn明显降低,带隙减小,所制备的微晶或非晶结构Zn(O,S)薄膜材料中生成闪锌矿结构Zn S(α-Zn S);高溅射功率下(>100 W),薄膜内S/Zn增加并趋于稳定,Zn(O,S)材料结晶性能改善,α-Zn S消失,带隙增加。器件仿真结果表明,低功率条件下,缓冲层与吸收层(AB)界面导带失调值(CBO)增大,空间电荷区(SCR)复合加剧;高功率条件下,器件品质因子升高明显,主要是由于高功率引起的异质结界面类受主缺陷浓度增加。

关 键 词：射频磁控溅射 Zn(O,S)缓冲层  CIGS

分 类 号：TM914.4]