文献类型：期刊文章

作　　者：刘卫兵[1,2] 谭秋林[1] 明安杰[2] 孙西龙[2] 毛海央[2] 岱钦[3] 张岳[3] 姚俊[3] 王玮冰[2,4] 熊继军[1]

机构地区：[1]中北大学电子测试技术国防科技重点实验室,山西太原030051 [2]中国科学院微电子研究所智能感知研发中心,北京100029 [3]沈阳理工大学理学院,辽宁沈阳110159 [4]昆山光微电子有限公司,江苏昆山215325

出　　处：《仪表技术与传感器》

基　　金：国家自然科学基金项目(61335008;61601455);国家高技术研究发展计划项目(2015AA042605);中科院-北大率先合作团队项目(XMXX201200019933);沈阳市科技计划项目(F16210600)

年　　份：2017

期　　号：6

起止页码：7-10

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2014、CSCD、CSCD_E2017_2018、IC、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：通过制备面向MEMS红外光源的高辐射率多晶硅纳米柱状结构和单晶硅纳米孔结构,以提升红外源表面辐射率,降低器件功耗。制备方法分别为反应离子刻蚀(reactive-ion-etching,RIE)及等离子浸没离子注入(plasma immerse ion implantation,PIII)工艺对单晶硅以及铝电极掩膜的多晶硅表面调控修饰制备。并对2种纳米硅结构进行了吸收率测试,对铝电极掩膜进行了引线键合破坏拉力测试。测试表明,纳米硅结构在3~5μm波段的辐射率可以达到85%以上,暴露在刻蚀气氛后的铝电极掩膜引线键合强度可以达到器件工艺要求。

关 键 词：MEMS红外光源  硅纳米结构 高辐射率  铝掩膜  反应离子刻蚀 等离子浸没离子注入  

分 类 号：TN212]