文献类型：期刊文章

作　　者：马勇[1] 孔春阳[1]

机构地区：[1]重庆师范学院物理系,重庆400047

出　　处：《重庆大学学报（自然科学版）》

年　　份：2002

卷　　号：25

期　　号：8

起止页码：114-117

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2000、CAS、CSA、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：介绍了氧化铟锡 (ITO)薄膜的光学和电学性质及应用。优化的ITO薄膜有立方铁锰矿结构。掺杂的Sn替代In2 O3 晶格上的In原子 ,每个Sn原子可以看作给导带提供一个自由电子。ITO薄膜载流子浓度为～ 10 2 0 cm-3 ,电阻率为～ 10 -4Ωcm ,是高度简并半导体 ,其能带为抛物线型结构。由于Burstein -Moss效应 ,光学能隙加宽。除了紫外带间吸收和远红外的声子吸收 ,Drude理论与ITO的介电常数实际值符合得很好 ,说明自由电子对ITO薄膜的光学性质有决定性作用。

关 键 词：ITO薄膜 结构  能带  电学性质 氧化铟锡薄膜 光学性质

分 类 号：O484.4]