文献类型：期刊文章

作　　者：李三庆[1] 李尚哲[2] 郭长立[3]

LI Sanqing LI Shangzhe GUO Changli(School of Civil ＆ Architecture Engineerning,Xi＇an Technological University,Xi＇an 710021 ,China School of Economics and Management, Northwest University, Xi＇ an 710127, China Center for Faocutty Devetempent,Xi＇an University of Science and Technology,Xi＇an 710054 ,China)

机构地区：[1]西安工业大学建筑工程学院,西安710021 [2]西北大学经济管理学院,西安710127 [3]西安科技大学教师教学发展中心,西安710054

出　　处：《西安工业大学学报》

基　　金：陕西省科学技术研究发展计划项目(2014K08-43)

年　　份：2017

卷　　号：37

期　　号：3

起止页码：184-189

语　　种：中文

收录情况：CAS、IC、UPD、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：文中利用有限元分析软件对中子管内的电、磁场分布和离子运动轨迹进行了仿真.通过大量仿真实验,得到了氘离子D^(+1)在不同初始位置(离子源引出口)和初始角度下的运动轨迹,得到了脉冲离子源中子管在正常工作条件下的离子源内的磁场分布和几种不同条件下中子管内部的电场分布.其中中子管加速电极间的电场分布,对于设计锐截止中子管栅极形状、位置和工作电压提供了依据.仿真了离子源外罩优化设计后中子管内的电场分布,电场分布明显改善.

关 键 词：有限元 中子管 电磁场 离子轨迹  数值模拟

分 类 号：O571.5]